公司提(ti)供蕊片封裝(zhuang)高(gao)精(jing)度冷(leng)水機(ji)組,蕊片封裝(zhuang)制冷(leng),蕊片制冷(leng)方(fang)案服務

蕊片制冷方(fang)案(an)服務背景技術:

2. 半導體激(ji)光器具(ju)有體積小、重量(liang)輕、效率高等優點，廣泛(fan)應用于光通信(xin)等領域。

3.目前，半導體激光(guang)器(qi)可以以制冷(leng)的(de)(de)(de)(de)形式封裝(zhuang)(zhuang)，通(tong)常包(bao)括一(yi)個(ge)金(jin)屬(shu)底座(zuo)、一(yi)個(ge)安(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)金(jin)屬(shu)底座(zuo)上(shang)的(de)(de)(de)(de)熱電(dian)冷(leng)卻器(qi)和(he)一(yi)個(ge)安(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)熱電(dian)冷(leng)卻器(qi)上(shang)的(de)(de)(de)(de)鎢(wu)銅塊(kuai)(kuai)。為了安(an)裝(zhuang)(zhuang)背光(guang)監測(ce)探測(ce)器(qi)芯片(pian)，對產品(pin)的(de)(de)(de)(de)背光(guang)進行監測(ce)，通(tong)常將(jiang)鎢(wu)銅塊(kuai)(kuai)設(she)置(zhi)為一(yi)體化的(de)(de)(de)(de)l型，背光(guang)監測(ce)探測(ce)器(qi)芯片(pian)設(she)置(zhi)在(zai)鎢(wu)銅塊(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)(de)水平部分，激光(guang)芯片(pian)設(she)置(zhi)在(zai)鎢(wu)銅塊(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)(de)縱向部分。

水冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)式(shi)制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)效果較(jiao)好，但(dan)需(xu)(xu)要冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)卻水，風冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)式(shi)靈活方(fang)便，無需(xu)(xu)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)卻水，適合缺(que)水地區(qu)或需(xu)(xu)移(yi)動場合使(shi)用(yong)。冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凍機(ji)的工作(zuo)介質即為制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)系(xi)統(tong)中(zhong)擔負著(zhu)傳遞熱量任務的制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)，常用(yong)的制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)有：氟(fu)(fu)(fu)里(li)(li)昂(ang)(ang)、氨(an)、溴化(hua)(hua)鋰(li)、氯(lv)甲烷(wan)等，其(qi)(qi)中(zhong)氟(fu)(fu)(fu)里(li)(li)昂(ang)(ang)按(an)其(qi)(qi)氣化(hua)(hua)溫(wen)(wen)度及化(hua)(hua)學分子式(shi)的不同(tong)有氟(fu)(fu)(fu)11(R-11)、氟(fu)(fu)(fu)12(R-12)、氟(fu)(fu)(fu)13(R-13)、氟(fu)(fu)(fu)21(R-21)、氟(fu)(fu)(fu)22(R-22)、氟(fu)(fu)(fu)113(R-113)、氟(fu)(fu)(fu)114(R-114)、氟(fu)(fu)(fu)142(R-142)等多種(zhong)。上述制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)可分別用(yong)于低壓(ya)(ya)(冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝壓(ya)(ya)力(li)小于0.3-0.3MPa)高溫(wen)(wen)(蒸發(fa)(fa)溫(wen)(wen)度大于0℃)、中(zhong)壓(ya)(ya)(冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝壓(ya)(ya)力(li)1-2MPa)中(zhong)溫(wen)(wen)(蒸發(fa)(fa)溫(wen)(wen)度0—-50℃)及高壓(ya)(ya)(冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝壓(ya)(ya)力(li)大于2MPa)低溫(wen)(wen)(蒸發(fa)(fa)溫(wen)(wen)度小于-50℃)的制冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)系(xi)統(tong)里(li)(li)。

蕊片封裝制(zhi)冷技(ji)術實現要素:

針(zhen)對芯(xin)片(pian)散熱(re)，本(ben)發明專(zhuan)利技術(shu)公開了一種芯(xin)片(pian)**制冷裝(zhuang)置，可自動實現對芯(xin)片(pian)的多級冷卻，有(you)(you)效解決結溫(wen)過(guo)高(gao)的問(wen)題，有(you)(you)效解決熱(re)電芯(xin)片(pian)熱(re)端溫(wen)度過(guo)高(gao)的問(wen)題，有(you)(you)效降低整體(ti)功耗。

一種芯片**制冷裝置(zhi)，包括芯片封裝結構和散(san)熱(re)單(dan)元。

所述芯(xin)(xin)片(pian)封裝(zhuang)結構包(bao)括(kuo)芯(xin)(xin)片(pian)、模具、引線、芯(xin)(xin)片(pian)粘(zhan)(zhan)合(he)劑、模具和襯底。所述芯(xin)(xin)片(pian)位于(yu)基板(ban)上(shang)(shang)方(fang)，并與芯(xin)(xin)片(pian)粘(zhan)(zhan)合(he)劑連接(jie);塑(su)料模具位于(yu)芯(xin)(xin)片(pian)上(shang)(shang)方(fang);引線從芯(xin)(xin)片(pian)的兩端引出并連接(jie)到基板(ban)中。

所述(shu)(shu)散(san)熱(re)單元包括微通(tong)道散(san)熱(re)器(qi)和(he)熱(re)電(dian)翅片(pian)(pian)(pian)(pian);所述(shu)(shu)熱(re)電(dian)片(pian)(pian)(pian)(pian)主要由單熱(re)電(dian)對(dui)陣列(lie)形成，所述(shu)(shu)單熱(re)電(dian)對(dui)包括p、n型熱(re)電(dian)臂、銅電(dian)*、絕緣襯底、雙金屬(shu)片(pian)(pian)(pian)(pian)和(he)觸點;所述(shu)(shu)微通(tong)道散(san)熱(re)器(qi)位于所述(shu)(shu)熱(re)電(dian)片(pian)(pian)(pian)(pian)的熱(re)端(duan)，所述(shu)(shu)蓋板(ban)、填充金屬(shu)片(pian)(pian)(pian)(pian)和(he)底板(ban)依次(ci)上(shang)(shang)下(xia)排列(lie)，所述(shu)(shu)底板(ban)上(shang)(shang)開有多個(ge)平行散(san)熱(re)微通(tong)道;微通(tong)道散(san)熱(re)器(qi)位于熱(re)電(dian)片(pian)(pian)(pian)(pian)的熱(re)端(duan)絕緣襯底上(shang)(shang)方（備注：文章部分內容，轉載來源互聯網）